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NSBC114TDXV6T5G |
SOT-563,SOT-666 | ON Semiconductor | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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NSBC114TDXV6T5G参数 产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 包装数量:8000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 5mA,10V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):500nA 频率 - 转换:- 功率 - 最大:500mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: RF 定向耦合器CP0603B1842CWTR 通孔电阻器CMF55383R00FKEA70 电源输入 - 模块PS000DH30 PMIC - 稳压MIC37112YMTTR 芯片电阻 - 表面RT0805FRE07750KL 多芯导线C2516A.18.10 薄膜电容器168153K400F-F 单芯导线5854BK005 存储器CY7C1019CV33-15ZXIT 接线座 - 隔板块432110-22-0 |